1N60 數據表
1.2A、600V N 溝道功率 MOSFET
描述
UTC 1N60 是一款高壓 MOSFET，旨在
具有更好的特性，如快速切換時間，低門
充電，低導通電阻，并具有高堅固性
雪崩特性。該功率 MOSFET 通常用于
電源、PWM 電機中的高速開關應用
控制，高效的直流到直流轉換器和橋式電路。
特征
* VDS = 600V
* 內徑 = 1.2A
* RDS(ON) =11.5Ω@VGS = 10V。
* 超低柵極電荷（典型值 5.0nC）
* 低反向傳輸電容（CRSS = 典型值 3.0 pF）
* 快速切換能力
* 指定的雪崩能量
* 改進的 dv/dt 能力，高耐用性